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高速不揮発メモリ機能技術開発

基本情報

技術分野 プロジェクトコード P10002
担当部署
  • 電子・材料・ナノテクノロジー部(TEL:044-520-5210)

事業・プロジェクト概要

事業期間:平成22年度~平成24年度、平成24年度予算:3.7億円

 情報機器は世界規模で爆発的に普及拡大しており、さらに急速な高機能化が進んでいます。これら機器の消費電力増加は地球環境に対しても大きな影響を及ぼすものとなります。情報機器を構成している半導体に関しては、微細化、低電圧化、システム面での工夫等、様々な消費電力削減策が図られていますが、このなかのメモリに関しては、電力を供給しなければ記憶が保持できない揮発メモリであるため使用していないときにも電力供給が必要となり、低消費電力化の大きな妨げとなっています。本プロジェクトは、この問題を抜本的に解消する電源をオフにしてもデータが保存され、かつ高速に動作する高速不揮発メモリを搭載した携帯情報端末の実現を目指すものです。具体的な開発項目は以下の2つです。

  1. 高速不揮発メモリの開発
     現行揮発メモリの代替となり得る不揮発メモリを実現するため、メモリ材料、および、要素プロセスの開発を行います。研究開発項目2「不揮発アーキテクチャの研究開発」から導きだされるメモリとしての必要性能とも整合させ、より効率的な研究開発を目指します。
     
  2. 不揮発アーキテクチャの研究開発
     新たな価値として高速不揮発メモリを搭載した携帯情報端末を実現するためには、メモリの研究開発だけではなく、その不揮発メモリを実際に用いた場合に構成される現実的な不揮発アーキテクチャの検討を同時並行で実施し実現可能性を提示する必要があります。この必要性に基づいて、メモリアーキテクチャに関する開発を行います。開発にあたっては、研究開発項目1「高速不揮発メモリの開発」において予測される素子の特性値と整合させ、有機的、かつ効率的な研究開発を目指します。

■低電力携帯情報端末

■低電力携帯情報端末

■研究開発項目の有機的連携

■研究開発項目の有機的連携


詳細資料

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最終更新日:平成24年7月26日