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「SIP/次世代パワーエレクトロニクス公開シンポジウム2015」の開催

平成27年10月16日
情報を更新しました
平成27年10月20日 プログラム詳細資料を掲載しました。

小型で高性能な “どこでもパワエレ機器”  ―豊かな省エネ社会の実現のために―

私たちが望む未来像のひとつに「自然環境と、快適で便利な生活が共存する社会」があります。家電製品から電車まで、さまざまな電子機器の省エネ化を実現してきたパワーエレクトロニクスはそのような未来を創るキーテクノロジーです。

また、このテクノロジーは今後も革新を持続し、世界のパワーエレクトロニクス市場は大きく成長します。世界に先駆けて次世代パワーエレクトロニクスの技術開発を行うことで、日本の産業競争力を高め、豊かな省エネ社会の実現に貢献していくこと、それがSIP次世代パワーエレクトロニクスプログラムです。

この度、内閣府と国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は、本プログラムに関するシンポジウムを下記のとおり開催します。是非ご参加ください。

開催日時

平成27年11月17日(火) 13時00分~18時45分 (開場 12時30分)

開催会場

大崎ブライトコアホール  (JR大崎駅から徒歩5分)

住所: 東京都品川区北品川5-5-15 大崎ブライトコア3階

プログラム

13時00分~13時05分 開会挨拶
国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構 理事 佐藤 嘉晃
13時05分~13時15分 来賓挨拶
内閣府 総合科学技術・イノベーション会議 常勤議員 久間 和生
13時15分~13時30分 プログラム概要説明
内閣府 SIP次世代パワーエレクトロニクス プログラムディレクター 大森 達夫
13時30分~13時55分 【招待講演】 パワーエレクトロニクスが創る豊かな社会(仮題)
株式会社三菱総合研究所 常務執行役員 千葉 勇
  【研究テーマ紹介】
13時55分~14時25分 SiC MOSFETモジュールの実装・回路・応用技術
東京工業大学 教授 赤木 泰文
14時25分~14時50分 SiCインバータを用いた機電一体ホイールモータ  
芝浦工業大学 教授 赤津 観
14時50分~15時05分 休憩
15時05分~15時35分 SiC次世代パワーエレクトロニクスの統合的研究開発 
国立研究開発法人 産業技術総合研究所 センター長 奥村 元
15時35分~15時55分 パワーモジュール用高温耐熱新実装技術
早稲田大学 教授 巽 宏平
15時55分~16時20分 GaN縦型パワーデバイスの基盤技術開発  
京都大学 准教授 須田 淳
16時20分~16時35分 低容量小型パワー集積回路の開発とパワープロセッシング
京都大学 教授 引原 隆士
16時35分~16時50分 休憩
16時50分~17時10分 酸化ガリウム(Ga2O3)パワーデバイス基盤技術開発の現状と今後
国立研究開発法人 情報通信研究機構 統括 兼 センター長 東脇 正高
17時10分~17時30分 ダイヤモンドのパワーエレクトロニクス研究  
国立研究開発法人 物質・材料研究機構 主幹研究員 小泉 聡
17時30分~17時45分 SiC熱酸化プロセスの再考による新しいMOS界面制御指針
東京大学 准教授 喜多 浩之
17時45分~18時00分 超高次非線形誘電率顕微鏡法を用いたSiO2/SiC界面の評価とSiCデバイスの実動作時のキャリア分布観測
東北大学 教授 長 康雄
18時00分~18時05分 閉会挨拶  
内閣府 SIP次世代パワーエレクトロニクス プログラムディレクター 大森 達夫
18時05分~18時45分 名刺交換会

お申し込み方法

お申し込みは、下記の「申し込みはこちらから」ボタンより、お願い致します。

必ず事前にお申し込みいただきますよう、お願い申し上げます。

なお、参加費は無料です。

お申し込み期限

平成27年11月12日(木)

個人情報について

取得した個人情報は、シンポジウムの参加申し込みに関する連絡等のみに使用致します。

本目的以外に使用することはありません。ただし、法令等により提供を求められた場合を除きます。

連絡先

電話番号 044-520-5211
担当者 NEDO 電子・材料・ナノテクノロジー部 塚本、真多、間瀬

資料

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