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「電子デバイス製造プロセスで使用するエッチングガスの代替ガス・システム及び代替プロセスの研究開発」(事後評価)分科会

第1回「電子デバイス製造プロセスで使用するエッチングガスの代替ガス・システム及び代替プロセスの研究開発」(事後評価)分科会

日時 平成 16年 3月 26日(金) 10:00~17:30
場所 川崎日航ホテル11階 「橘」
配布資料
資料1-1 研究評価委員会分科会の設置について
資料1-2 NEDO技術委員・技術委員会等規程
資料2-1 研究評価委員会分科会の公開について(案)
資料2-2 研究評価委員会関係の公開について
資料3-1 NEDOにおける研究評価について
資料3-2 技術評価実施規程
資料3-3 評価項目・評価基準(案) 、標準的評価項目・評価基準(参考)
資料3-4 評点法の実施について(案)
資料3-5 評価コメント及び評点票(案)
資料3-6 評価の分担(案)
資料4 評価報告書の構成について(案)
資料5-1 事業原簿
資料5-2 「プロジェクトの概要説明」
資料6 「プロジェクトの詳細説明」(非公開)
資料7 今後の予定
その他
議事要旨
議事録