本文へジャンプ

本公募 「次世代半導体微細加工・評価基盤技術の開発(超低電力デバイスプロジェクト)/研究開発項目〔2〕 EUVマスク検査装置・レジスト材料基盤技術開発/EUVレジスト材料設計及び評価基盤技術開発」に係る公募について

平成26年4月9日

概要

技術・事業分野 電子デバイス プロジェクトコード P10025
事業名 次世代半導体微細加工・評価基盤技術の開発(超低電力デバイスプロジェクト)/研究開発項目〔2〕 EUVマスク検査装置・レジスト材料基盤技術開発/EUVレジスト材料設計及び評価基盤技術開発
事業分類 研究(委託、共同研究、助成)
対象者 企業(団体等を含む)
大学等
公募期間 平成26年4月9日~平成26年5月19日
問い合わせ先 電子・材料・ナノテクノロジー部 
担当者:井上、杉山
E-MAIL:denshi-joho@ml.nedo.go.jp

詳細

情報を更新しました
平成26年5月9日 【期間延長】
提出書類の提出期限について、平成26年5月9日(金)正午から平成26年5月19日(月)正午まで延長いたしました。なお、既に書類を提出済みであっても、期間内に再提出することができます。
平成26年4月28日 公募要領の「5.(2)提案書に添付する書類」を一部修正しました。

独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(以下「NEDO」という。)は、下記事業の実施者を一般に広く募集いたしますので、本件について受託を希望する方は、下記に基づき御応募ください。

なお、本事業は、平成26年度の政府予算に基づき実施するため、予算案等の審議状況や政府方針の変更等により、公募の内容や採択後の実施計画、概算払の時期等が変更される場合があります。

1.事業内容

(1)概要

本事業では、高解像度微小面積露光機(HSFET:High NA Small Field Exposure Tool)を活用する等により、hp11nm以細対応EUVレジスト材料における材料設計手法及び評価の基盤技術を開発します。

(2)事業期間

平成26年度

2.説明会

当該公募の内容は、契約に係る手続き、提出する書類等についての説明会を次の日程により開催いたします。説明は日本語で行います。出席希望の企業等は、社名、出席者氏名、出席者の連絡先(TEL及びFAX番号、電子メールアドレス)を平成26年4月14日(月)正午までに電子メールにて上記問い合わせ先までご連絡ください。(様式は問いませんが、メール件名は、「次世代半導体微細加工EUVレジスト材料設計及び評価基盤技術開発」としていただきますようお願いいたします。)

<日時・場所>

日時: 平成26年4月16日(水)13時~14時

場所: 独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 1601会議室
〒212-8554 神奈川県川崎市幸区大宮町1310 ミューザ川崎セントラルタワー16階

  • 直接会議室にお越しください。(16階での受付は不要です)

3.応募方法等

本ページ最下の資料欄から必要な書類をダウンロードしてください。

契約約款はこちらをご参照ください。

e-Rad

府省共通研究開発管理システム(e-Rad)に提案内容等をご登録いただく必要がございます。提案内容のご登録方法等、詳細は公募要領等をご覧ください。e-Radをご利用になるためには、御所属の研究機関(企業、国立研究開発法人、大学等の法人)又は研究者本人がe-Radに登録され、ログインID、パスワードを取得しておく必要がございます。登録方法については以下のページをご覧ください。

なお、e-Radへの登録に日数を要する場合がありますので、2週間以上の余裕をもって登録手続きをしてください。

e-Radへの登録に関するヘルプデスク
電話番号: 0570-066-877(ナビダイヤル)、03-5625-3961(直通)
受付時間: 午前9時00分~午後6時00分(平日)
(土曜日、日曜日、国民の祝日及び年末年始(12月29日~1月3日)を除く)

4.その他

本公募では、過去のNEDO研究開発プロジェクトの実績調査を実施いたします。詳細については、資料欄「NEDO研究開発プロジェクトの実績調査票の記入について」をご覧ください。

本公募では、「知財の管理・運営に関する提案」の提出が必要となります。詳細については別添5をご覧下さい。

また、メール配信サービスにご登録いただきますと、ウェブサイトに掲載された最新の公募情報に関するお知らせを随時メールにてお送りいたします。ぜひご登録いただき、ご活用下さい。

資料

Adobe Readerを入手する
Word Viewerを入手する
Excel Viewerを入手する