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No.1707016 サブナノ結晶配向情報検出ウェハマッピング装置

lnkLst「研究開発成果の事業化促進事業」サンプル&技術一覧

技術の概要

図:サブナノ結晶配向情報検出ウェハマッピング装置

  • 分野: ナノテクノロジー
  • キーワード: 化合物半導体ウェハ、車載パワーデバイス、ウェハ欠陥検査装置、低加速SEM観察、欠陥フリーSiC標準サンプル

詳細情報

特許関連情報 特許第5561676号「SiC半導体ウェーハ熱処理装置」、特許第5564682号「半導体素子の製造方法」、特許第5590665号「ナノメータ標準原器、標準試料、ナノメータ標準原器の製造方法、及び標準試料の製造方法」他
想定される用途 SiCやGaNウェハ全体の結晶配向情報を高精度に検出・解析することで、自動車メーカーや半導体デバイス・ウェハメーカーが、SiCやGaNパワーデバイスの製造品質向上に役立てます。
参考情報 本製品の提供先として想定しているのは、自動車メーカーや半導体デバイスメーカー、化合物半導体ウェハ基板メーカーなどです。特に、実用化が進んでいる車載SiCパワーデバイスメーカーがメインターゲットです。いまだ開発途中ということもあり、納入実績はまだありませんが、有効引合いは数件獲得しています。

企業・研究者の概要

企業名 株式会社東陽テクニカ
所在地 東京都中央区八重洲1-1-6
電話 03-3279-0771
FAX 03-3246-0645
E-mail aisot@toyo.co.jp
URL http://www.toyo.co.jp

共同研究先

橋渡し研究機関 関西学院大学

ユーザーの皆様へ:
 「企業・研究者の概要」欄に連絡先が公開されている場合には、サンプルや技術の内容について直接問い合わせをされても構いません。しかしその場合、最終的にサンプル提供や技術提携に至らない場合であっても、必ず問い合わせを行った旨のご連絡をNEDO担当部署までお願いします。
 なお、サンプル等を貴社において評価されたい場合には「問い合わせシート」のご提出が必用となります。

最終更新日:平成29年7月26日