成果報告書詳細
管理番号20110000000514
タイトル平成21年度成果報告書 平成19年度採択産業技術研究助成事業 07E51201a 印刷プロセスによる有機トランジスタ集積回路の電子人工皮膚応用 平成21年度中間
公開日2011/5/27
報告書年度2009 - 2009
委託先名国立大学法人東京大学染谷隆夫
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部
和文要約本研究で得られた研究成果は、申請当初に記載した当該年度の目標値をいずれも大幅に上回っている。具体的には、以下の顕著な成果を挙げている。
有機トランジスタのゲート絶縁膜の均一性を向上し、またインクジェット技術によって、有機トランジスタの横方向寸法のさらなる微細化を進め、さらに配線の滲みや断線を低減した。具体的には下記の通りである。
(1)ポリエチレンナフタレート(PEN)フィルムの上に、180℃で硬化することができるポリイミド系樹脂膜を平滑化層として塗布する独自技術を用いて、ピンホールのない高耐圧の自己組織化単分子ゲート絶縁膜を実現しつつある。本年度はこの技術をさらに改良し、有機トランジスタゲート絶縁膜の均一性を向上し、3Vで動作するフレキシブルな有機トランジスタ集積回路を実現する基盤技術を確立した。
(2)フレキシブルフィルム上のプロセスと整合する低損失プラズマプロセスを確立した。
(3)フレキシブル有機トランジスタ集積回路を設計することを目的として、3V駆動のフレキシブル有機トランジスタのモデリングを行った。
(4)ポリイミド系樹脂膜を平滑化層の最適化を進めた。
英文要約We have successfully achieved the target mentioned above. Especially, utilizing subfemto liter inkjet technologies and planarization of gate dielectrics, we have successfully decreased the channel length and linewidth of printed electrodes, thus leading to high-performance transistor characteristics.
(1)Using polymer planarization layer which can be cured at 180℃,we have successufully manufactured ultra-smooth surface of plastic substrates and have improved insulating property of self-assembled monolayer on polyethylene naphthalene (PEN) film. Furthermore, we have established the manufacturing process of organic transistors and integrated circuits with 3-V operation.
(2)We have developed low-damage oxigen plazma conditio, whichiscompatible to plastic substrates.
(3)We constructed the model for designing 3-V operational organic transistors and integrated circuits.
(4)We have optimized the process conditions for polymer planarization, which is lead to low-voltage operational, high-performance organic circuits on plastic.
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