成果報告書詳細
管理番号20110000000247
タイトル*平成22年度中間年報 太陽エネルギー技術研究開発/太陽光発電システム次世代高性能技術の開発/フレキシブルCIGS太陽電池モジュールの高効率化研究(結晶欠陥の検出・同定、欠陥低減化技術開発支援)
公開日2011/7/28
報告書年度2010 - 2010
委託先名国立大学法人筑波大学
プロジェクト番号P07015
部署名新エネルギー部
和文要約和文要約等以下本編抜粋:1. 研究開発の内容及び成果等 変換効率22%以上の高効率化を実現することを目標として、禁制帯幅1.4-1.5eVのワイドギャップCIGS太陽電池の高効率化をめざす。CIGS太陽電池においてはバンドギャップエネルギーが1.1-1.2eV(Ga濃度30%程度)で最高効率20.0%が実現されているが、Ga組成を増加しバンドギャップエネルギーを大きくすると変換効率は低下する。この原因の一つとして欠陥の存在があり、これらの欠陥の検出と同定を通じて欠陥低減化をはかり、セルの高効率化を実現する計画である。
英文要約Title: Development of high performance flexible CIGS PV modules (FY2010-FY2012) FY2010 Annual Report
The goal is to demonstrate high performance CIGS solar cells with the conversion efficiency of more than 22%. To achieve the goal, detection and identification of defects in CIGS has been carried out, especially detection of Cu2Se in CIGS was focused in 2010. Generally the stoichiometry of Cu2Se is deviated to Cu deficiency and shows low resistivity in the order of 10^-3 cm. So the Cu2Se in CIGS may act as recombination center and derive low parallel resistance in solar cells. The detection of Cu2Se in CIGS was performed by Raman spectroscopy. The Raman peak at 260cm-1 which is identified as Cu2Se related peak was observed in CIS grown under Cu rich condition, and after KCN treatment, the peak was disappeared. The result indicates that the Cu2Se is formed only in Cu rich growth condition in case of CIS and can be removed by KCN etching. With increasing Ga content, especially more than 0.4, the Raman peak at 260cm-1 was observed even under Cu deficiency growth condition, and it remains after KCN treatment. The results indicate that the Cu2Se is formed easier in higher Ga content of CIGS and may be existed inside the CIGS grain. The formation of Cu2Se is one of the reasons for the degradation of solar cell performance in higher Ga content of CIGS.
ダウンロード成果報告書データベース(ユーザ登録必須)から、ダウンロードしてください。

▲トップに戻る