成果報告書詳細
管理番号20110000001286
タイトル平成22年度成果報告書 戦略的国際標準化推進事業 標準化先導研究 SIMS(二次イオン質量分析法)装置のイオン検出器に関する標準化
公開日2011/7/28
報告書年度2010 - 2010
委託先名独立行政法人産業技術総合研究所
プロジェクト番号P04002
部署名技術開発推進部
和文要約膜厚6 nm ± 5 nm のボロンドープ層においてボロンのドープング量を数桁にわたって段階的に変えたシリコンウエハ様試料を作製し、SIMS 計測を実施した結果、ボロン(B)濃度約2×105 cts/s 以上において、同位体存在比で規格化された11B の信号強度曲線が10B の信号強度曲線の下方にずれることにより、検出器が飽和傾向を示すことを確認し、規格提案に適用することを検討している中間拡張死時間モデルによる感度較正モデルの検証に使用可能であることを確認した。また、SIMSの国際標準化動向調査のため、ISO/TC 201(表面化学分析)/SC 6(SIMS)の北京会議にエキスパート候補者1名を派遣し、英国が拡張死時間モデルを使ったToF-SIMS 用の信号強度の線形性に関する規格を模索中であるなどの標準化の動向に関する情報を得た。
英文要約We prepared a test sample using a silicon wafer where the concentration of boron as a dopant changes for several orders of magnitude within a doping layer of 6 nm ± 5 nm thick. The SIMS measurement of the sample showed that the curve of 11B ion signal intensity normalized by the isotope abundance ratio deviated downward from the 10B ion signal intensity curve above nominal B concentration of ca. 2×105 cts/s and hence the saturation behavior of the ion detector was confirmed. The test sample was thus approved for the use to verify the calibration of the ion sensitivity based on the intermediate extended dead-time model.
For the investigation of the trend in the international standardization on SIMS measurement and system, we sent a candidate expert to ISO/TC 201 (Surface Chemical Analysis) /SC 6 (SIMS) Beijing meeting and obtained information about the standardization trend in SIMS such as a UK group had been seeking the development of a new ISO on the linearity of the TF-SIMS signal intensity based on the extended dead-time model, which was less accurate than the model employed in our project.
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