成果報告書詳細
管理番号20110000000446
タイトル平成21年度成果報告書 平成21年度第1回採択産業技術研究助成事業 09A18013a 鉄系超伝導体を用いた超伝導接合基盤技術の開発 平成21年度中間
公開日2011/9/28
報告書年度2009 - 2009
委託先名国立大学法人東京農工大学上田真也
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部
和文要約・鉄系超伝導体の中でも特にTcの高い物質について単膜作製を試み、Sr1-xKxFe2As2(Tc = 37 K)およびBa1-xKxFe2As2(Tc = 38 K)のMBE成長に世界で初めて成功した。これらの薄膜は高温仕様のデバイスを作製するにおいて十分な超伝導特性を示し研究の第一ステップ(1)鉄系超伝導単膜の作製法の開発をクリアした。この結果は雑誌「超電導コミュニケーションズ」に取り上げられ、また学術論文(APEX: Applied Physics Express)として発表する。さらに、本研究では鉄系超伝導体の中で最もTcの高いSmFeAsO1-δに関しても未だ超伝導性は示していないものの単相膜の作製に成功した。この成果は応用物理学会にて発表する。
・昨年購入のマスクアライナー、スピナー等の微細加工用の装置を用いて(2)積層型接合作製にも着手している。
英文要約We succeeded in molecular beam epitaxy growth of high-quality single-crystalline Sr1-xKxFe2As2 (Tc = 37 K) and Ba1-xKxFe2As2 (Tc = 38 K) films, respectively. This is the first report of epitaxial film growth of K doped AEFe2As2 (AE = alkaline earth metals) system. The films show good superconducting properties and have potential for device applications using at high temperatures.
Epitaxial films of SmFeAsO1-δ were also fabricated by MBE, although the films were non-superconducting yet.
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