成果報告書詳細
管理番号20110000000498
タイトル平成21年度成果報告書 平成19年度採択産業技術研究助成事業 07B41002a 高品質半導体ダイヤモンドによる耐環境低損失パワーデバイスの開発 平成21年度中間
公開日2011/9/28
報告書年度2009 - 2009
委託先名独立行政法人産業技術総合研究所梅澤仁
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部
和文要約材料物性および各種実験データ(移動度温度依存性、キャリア濃度依存性)からオン抵抗vs耐圧のトレードオフ性能指標を求めた。室温ではSiC素子とほぼ同等の特性となるものの、高温環境ではSiCに対して1桁程度の性能改善が見込める。大型自立ウェハ上の擬似縦型構造SBD試作素子で3.5MV/cm、0.6mΩcm2を確認したが、電極の大型化で漏れ電流特性が劣化している事を確認。複数の欠陥の混入により漏れ電流が決定していると考えられる。
英文要約The Baliga limit (specific on-resistance vs. blocking voltage) of a diamond power device is estimated. Increasing temperature will decrease the series resistance of diamond SBDs realizing better performance than SiC SBDs. Pseudo-vertical diamond SBDs on 0.5-inch wafer shows high Emax and low on-resistance, however, the degradation was confirmed on increasing electrode size due to defects.
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