成果報告書詳細
管理番号20110000000499
タイトル平成21年度成果報告書 平成19年度採択産業技術研究助成事業 07B41004d 大電力密度電子デバイスの実現に向けたn型ダイヤモンド半導体の低抵抗化ならびにオーミック接合技術の開発 平成21年度中間
公開日2011/9/28
報告書年度2009 - 2009
委託先名独立行政法人産業技術総合研究所加藤宙光
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部
和文要約高濃度ドープn+層導入による接触抵抗の低減技術を、(001)面PINデバイスに組み込み、その導入効果を実証した。ターンオン電圧の低減および順方向電流の増大が得られ、課題となっているn型電極およびn層でのシリーズ抵抗低減に効果的であることを示した。課題となっているマイノリティーキャリアの注入効率を改善し、バイポーラモードでのデバイス動作を確認した。
英文要約The contact metallization to n-type diamond is a key subject for realizing diamond bipolar devices. We have proposed the selective growth technique using the patterned surface morphology and <111> directional growth, and have achieved the heavily P doping even on (001) diamond. The availability of this n+ diamond onto a stack PIN junction diode and bipolar device action were clearly demonstrated .
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