成果報告書詳細
管理番号20110000000500
タイトル平成21年度成果報告書 平成19年度採択産業技術研究助成事業 07B41005d 多元機能溶媒を用いた低温安定相SiC基板結晶の溶液成長 平成21年度中間
公開日2011/9/9
報告書年度2009 - 2009
委託先名国立大学法人名古屋大学宇治原徹
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部
和文要約6H-SiCから3C-SiCへの変換過程に関して、成長モードの観点から評価を行った。6H-SiCは種結晶に含まれる貫通らせん転位を起点としてスパイラルモードで成長し、一方3C-SiCは二次元核形成モードで成長していることがわかった。今の場合、多形によるステップ構造の違いに起因して、過飽和度を最適地に制御すれば、3C-SiCの二次元核形成モードによる成長速度が6H-SiCのスパイラルモードによる成長速度よりも高くなり、3C-SiCが全体を覆うように成長することがわかった。
英文要約We investigated the relationship between growth mode and growth polytype in detail. 6H-SiC were grown by spiral growth mode originated from the threading screw dislocations included in 6H-SiC seed crystal initially. On the other hands, 3C-SiC were grown by 2D nucleation mode. In the present case, the growth rate of 2D nucleation of 3C-SiC was probably higher than that of spiral growth of 6H-SiC just above the critical supersaturation of 3C-SiC, and consequently, 3C-SiC preferentially grew.
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