成果報告書詳細
管理番号20110000001257
タイトル平成21年度成果報告書  平成21年度第2回採択産業技術研究助成事業 09C46551d サスティナブルFe酸化物高温強磁性半導体を用いたスピンエレクトロニクス素子の開発 平成21年度中間
公開日2011/9/9
報告書年度2009 - 2009
委託先名大阪大学田中秀和
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部
和文要約(A)強磁性酸化物トンネル接合デバイス構造の作製
■Moナノマスク原子間力顕微鏡リソグラフィー法を用い、(Fe2.5Zn0.5)O4を用いたナノ狭窄構造スピンデバイス構造を作製した。
■ナノ狭窄構造デバイス(狭窄幅50nm)において、室温での磁気抵抗効果(-150% 磁場5000 Oe)を見いだした。
(B)強磁性酸化物電界効果トランジスタ構造の作製
■ (Fe2.5Zn0.5)O4/Pb(Ti,Zr)O3電界効果トランジスタ構造を作製し、ゲート層への電界印加により(Fe2.5Zn0.5)O4強磁性半導体層のキャリア変調による抵抗変化およびを強磁性ヒステリシスの変調を実現した。
■(Fe2.5Zn0.5)O4強磁性ナノドットダイオードの作製に成功した。
以上、サスティナブル強磁性半導体スピネル系Fe酸化物を用い、本年度の目標である「強磁性酸化物トンネル接合デバイス構造の作製」および「強磁性酸化物電界効果トランジスタ構造の作製」を達成した
英文要約(1) The giant magnetoresistance as large as 150% was realized at room temperature in (Fe2.5Mn0.5)O4 nano-constrained structures prepared by our original oxide Atomic Force Microscope lithography.
(2) Electric field control of (Fe2.5Zn0.5)O4 was achieved in the field effect transistor structure with ferroelectric gate layer.
(3) The junction magnetoresistance was electrically and magnetically controlled and huge spin polarization of 0.89 was estimated in ferromagnetic nano-dot Schottky diode.
These results will lead to the significant development of sustainable oxide semiconductor spintronics devices working at room temperature.
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