成果報告書詳細
管理番号20110000001451
タイトル平成22年度成果報告書 平成20年度第1回採択産業技術研究助成事業 08E51005a 高性能カーボンナノチューブ薄膜トランジスタの開発 平成22年度中間
公開日2011/9/28
報告書年度2010 - 2010
委託先名名古屋大学大野雄高
プロジェクト番号P00041
部署名技術開発推進部
和文要約本年度は,集積回路の構築を目指した。まず,CNT薄膜の最適化を進め,TFTにおいて世界トップの性能(35 cm2/Vs,オン/オフ比6x106)を得た。透明なプラスチック基板上に,各種集積回路を初めて実現した。21段のリング発振器(集積規模:44 TFT),NORやNANDといった基本論理素子に加え,それを集積したD-フリップ・フロップ(D-FF)の動作も実証した。
英文要約In FY2010, we obtained the highest performance TFTs with a mobility of 35 cm2/Vs and on/off of 6x106. We also realized the world's first CNT-based ICs on a transparent plastic substrate, such as 21-stage ring oscillators, basic logic gates (NOT, NOR, NAND), and D-flip-flops (D-FF).
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