成果報告書詳細
管理番号20110000000180
タイトル*平成21年度中間年報 次世代高効率・高品質照明の基盤技術開発 LED照明の高効率・高品質化に係る基盤技術開発 窒化物等結晶成長手法の高度化に関する基盤技術開発(1)
公開日2011/11/26
報告書年度2009 - 2009
委託先名三菱化学株式会社
プロジェクト番号P09024
部署名電子・情報技術開発部
和文要約和文要約等以下本編抜粋:1.研究開発の内容及び成果等 ・内容 GaN単結晶基板製造技術の高度化のためのHVPE炉の企察を実施 ・成果等 上記企察を実施した結果、現有HVPE炉へのモジュール新設等のデザインを策定した
英文要約Mitsubishi Chemical Corporation
Abstract
1. Gathering information on HVPE reactor for development of manufacture of monocrystal GaN substrate
We have gathered information and have made new HVPE reactor module design.
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