成果報告書詳細
管理番号20110000000181
タイトル*平成21年度中間年報 次世代高効率・高品質照明の基盤技術開発 LED照明の高効率・高品質化に係る基盤技術開発 窒化物等結晶成長手法の高度化に関する基盤技術開発(2)
公開日2011/11/26
報告書年度2009 - 2009
委託先名シチズン電子株式会社
プロジェクト番号P09024
部署名電子・情報技術開発部
和文要約和文要約等以下本編抜粋:1.研究開発の内容及び成果等 ・内容 高効率・高品質なチップ実装デバイス実現のためのデバイス材料の検討として、既存基板での光学および熱シミュレーションを実施した ・成果等 上記解析の結果、GaNチップを搭載した既存メタル基板での光学および熱シミュレーションを行う上でベースとなるパラメータが得られてきた
英文要約CITIZEN ELECTRONICS CO.
Abstract
1. Optical and thermal simulation
We confirmed some parameters about GaN substrate.
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