成果報告書詳細
管理番号20110000001392
タイトル平成18年度~平成22年度成果報告書 スピントロニクス不揮発性機能技術プロジェクト(6)
公開日2011/12/13
報告書年度2006 - 2011
委託先名財団法人新機能素子研究開発協会
プロジェクト番号P06016
部署名電子・材料・ナノテクノロジー部
和文要約1スピントロニクス不揮発性機能技術調査委員会による国内外の技術動向の調査(平成18年~平成21年度)
2新機能素子研究開発協会によるスピントロニクス新機能素子技術の調査(平成18年~平成21年度)
3新機能素子研究開発協会によるスピントロニクス不揮発性機能技術の標準化に向けた調査(平成22年度)
スピントロニクス不揮発性機能技術プロジェクト」に設置したスピントロニクス不揮発性機能技術調査委員会のメンバーの指導の下で、新機能素子研究開発協会は、スピントロニクス不揮発性機能技術に関わる国内外の技術動向調査、ノーベル賞学者を含む国内外専門家による講演会や研究推進ワーキンググループの定期会合、国内外会議調査、専門家への聞き取り調査などの企画、実施、取りまとめと技術的問題点の抽出と分析を行った。さらに、新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)および東北大学電気通信研究所主催のスピントロニクス合同講演会「スピントロニクス~革新的技術が拓く次世代エレクトロニクス~」(素子協は東北大電気通信研究所と事務局を担当)を開催した。これらの活動を通じて、グループ内の研究者に対する適切な情報の提供、当該研究分野の技術的問題点の抽出と分析、研究開発の方向性の明確化に寄与すると同時に、我国のスピントロニクス研究者の交流を推進した。
スピン能動素子(スピントランジスタ)と不揮発性スピン光機能素子などの新機能素子の技術動向調査では、国内外の約40の学術論文誌を対象にした文献調査や国内および米国の特許調査、国内外の学会動向の調査などを行い、当該分野の技術的問題点の抽出と分析、実用化の方向性、スピンロジックのベンチマークなどを行った。文献調査では、スピントロニクス関連の研究論文6925件の題目と要旨を「素子協通信」として毎月配信した。グループ内の研究者には好評であった。また、2007年から2009年にかけて、新機能トランジスタに関する調査委員会を開催し、不揮発性機能素子に期待される機能や性能、ニーズ側からの新しい利用形態などの調査を行った。それらの議論をまとめて、不揮発性機能素子の可能性調査報告書~ノーマリー・オフ・コンピュータの実現を目指して~を発行した。
2010年度は、スピントロ二クス不揮発性機能技術、とりわけその中心技術であるスピンRAMの規格標準化を巡る動向と規格標準化当たっての技術的な課題や今後の可能性などを調査し、将来の標準化に向けた技術的な課題などを明確にした。こうした調査結果と将来のスピンRAM規格標準化の可能性などに加えて、必要な技術用語の説明および研究機関と企業の動向など盛り込んだ報告書を作成した。
英文要約Title: Spintronics nonvolatile devices project. Technical trend survey for new nonvolatile memories and active spintronics devices reported by Research and Development Organization for Future Electron Devices (FED) (FY2006-FY2010)
Several members of technical survey committee for the spintronics nonvolatile devices project were sent to various international conferences in order to find some technical trends in worldwide research and development of spintronics for 4 fiscal years from 2006 to 2009. FED supported those activities of the committee and discussed the worldwide technical trends on the spintronics through several lecture meetings by specialists including Nobel Prize winner. FED also reviewed the current status and future prospect of spin-transistors and new non-volatile optical memories in spintronics technologies. The numbers of paper and patent in spin-transistor and tunneling magneto-resistance (TMR) logic are increasing in recent years. But a few numbers of papers on non-volatile optical memories were reported. Moreover a FED-NEWS composing of abstracts of recent published papers on spintronics technologies was delivered monthly to each researcher in the NEDO project. The total numbers of abstract were 6925 for 4 fiscal years from 2006 to 2009.
From 2007 to 2009, FED also held the meetings of technical survey committee for new functional transistor and discussed the current status of power-gating technologies and future prospect of nonvolatile transistors. Thereafter, FED published a research report “A possibility of non-volatile devices” on NEDO web. On 23-10-2008, FED and Tohoku University held a joint meeting on 3 big spintronics projects, which were sponsored by NEDO and MEXT at Ohtemachi-Sankei Plaza in Tokyo, to promote the research collaboration between Japanese researchers on spintronics technologies.
In 2010, FED surveyed the current status and technical problems on standardization of nonvolatile memories such as phase change random access memory (PCM), resistive random access memory (ReRAM), and spin-torque transfer random access memory (Spin-RAM) and discussed a possibility and futurism of the standardization of Spin-RAM. The results were published as an annual research report of “NEDO spintronics nonvolatile device project-A Preliminary Research Report on Standardization for Spintronics Nonvolatile Devices” by FED.
ダウンロード成果報告書データベース(ユーザ登録必須)から、ダウンロードしてください。

▲トップに戻る