成果報告書詳細
管理番号20110000001651
タイトル平成22年度成果報告書 平成21年度第1回採択産業技術研究助成事業 09A18003a 次世代半導体Geチャネルを利用した超低消費電力スピントランジスタの開発 平成22年度中間
公開日2011/12/13
報告書年度2010 - 2010
委託先名国立大学法人九州大学浜屋宏平
プロジェクト番号P00041
部署名技術開発推進部
和文要約 Fe3Si/Ge(111)原子層制御構造において,メスバウアー分光測定を用いてFe3Si薄膜の結晶規則度を見積もり,ハーフメタル合金/Ge(111)構造の結晶成長過程に関して有益な情報を得た.また,Fe3Si/n+-Ge/n-Ge(111)からなる3端子素子を作製し,Geチャネル中のスピン蓄積現象の電気的に検出することに成功した.
英文要約We estimated the local structural ordering of Fe3Si thin films grown by LT-MBE. The growth mechanism will be applied to the growth of Co-based Heusler compound thin films. Using Fe3Si/n+-Ge/n-Ge(111) three-terminal devices, we can obtain clear Hanle-effect signals. This means that successful demonstration of electrical creation of spin accumulation in Ge channels.
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