成果報告書詳細
管理番号20110000001774
タイトル平成19年度~平成22年度成果報告書  平成19年度採択産業技術研究助成事業 07E51002a マルチフェロイクスセンサ素子のナノ構造設計と材料探索 平成22年度最終
公開日2012/1/13
報告書年度2007 - 2010
委託先名東京工業大学松本祐司
プロジェクト番号P00041
部署名技術開発推進部
和文要約今年度は、材料開発において、BITとCFOの同時蒸着によるコンポジット薄膜のPFMによる分極書き込みの走査方向依存性を発見した。また、VO2/マグネタイト多層膜磁場センサーのマグネタイト薄膜の高品質化に成功した。デバイス開発では、全薄膜カンチレバー型磁場センサーでフリースタンディングプロセスを確立する一方、FeGa薄膜のマイクロフリースタンディング構造の試作に成功した。
英文要約In Matsumoto and Nagarajan Gs, they found a new phenomenon that the polarization vector induced by a PFM tip on the nano-phase composite of BIT-CFO was different not only by the different polarity of applied bias voltages, but also by different scanning directions. In Lippmaa G, they established a growth process, ~a low temperature template method~ for high-quality magnetite thin films. In Takeuchi G, they achieved the magnetic sensitivity of all thin film ME magnetic field sensors on micromachined Si cantilevers to be as high as 400pT@200Hz. For a higher sensitivity, they established a new process for a free-standing type device.
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