成果報告書詳細
管理番号20110000001724
タイトル平成19年度~平成22年度成果報告書 平成19年度採択産業技術研究助成事業 07B41004d 大電力密度電子デバイスの実現に向けたn型ダイヤモンド半導体の低抵抗化ならびにオーミック接合技術の開発 平成22年度最終
公開日2012/2/21
報告書年度2007 - 2010
委託先名産業技術総合研究所加藤宙光
プロジェクト番号P00041
部署名技術開発推進部
和文要約高品質なn型ダイヤモンド半導体および高濃度リンドーピングによる低抵抗コンタクト技術をPNP接合型バイポーラトランジスタに組み込み、トランジスタの実現を目指した。ベースn層の不純物濃度および膜厚を最適化することで、正孔の拡散長を確保しつつ少数キャリア注入効率の改善させ、ダイヤモンド半導体において初めて増幅特性を確認した。
英文要約Prototype of p-n-p bipolar transistor device was fabricated on both (111) and (001) diamond by using n-type phosphorus doping techniques, and the clear transistor actions with current amplification property can be found at room temperature operations.
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