成果報告書詳細
管理番号20110000001725
タイトル平成19年度~平成22年度成果報告書 平成19年度採択産業技術研究助成事業 07B41005d 多元機能溶媒を用いた低温安定相SiC基板結晶の溶液成長 平成22年度最終
公開日2012/2/21
報告書年度2007 - 2010
委託先名名古屋大学宇治原徹
プロジェクト番号P00041
部署名技術開発推進部
和文要約平成21年度までに、3C-SiCを6H-SiC上に成長させる手法をほぼ確立した。本年度は、そのメカニズムを明らかにすることで、多形ごとの成長速度差を利用した速度論的多形選択法を提案するに至った。さらにこのコンセプトに従って、他の多形の混入を完璧に抑制することに成功した。我々の新たなコンセプトは、ステップ制御エピタキシー等に代表される「結晶構造の継承」をコンセプトとした多形制御法とは全く異なる。また、3C-SiCへの安定な多形変換を実現するためには高品質の種結晶が必要となるが、六方晶種結晶の欠陥低減技術も確立した。さらに、成長速度を向上させることで、最厚部で約1mmの3C-SiCを成長することもできた。
英文要約Clarifying the mechanism of 3C-SiC growth on a hexagonal SiC, we proposed the novel polytype control mechanism based on the difference of supersaturation dependence of growth. This method is largely different from the typical "inheritance" mechanism, e.g. step-controlled epitaxy. Moreover, we achieved the complete 3C-SiC growth without the mixture of other polytypes utilizing this mechanism. Finally, improving the growth rate, the thickness reached to about 1mm.
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