成果報告書詳細
管理番号20110000001626
タイトル平成21年度~平成22年度成果報告書 平成21年度第1回採択産業技術研究助成事業 09A18013a 鉄系超伝導体を用いた超伝導接合基盤技術の開発 平成22年度最終
公開日2012/3/13
報告書年度2009 - 2010
委託先名国立大学法人東京農工大学上田真也
プロジェクト番号P00041
部署名技術開発推進部
和文要約現状の鉄系超伝導体では最高のTc = 55 Kを有するSmFeAs(O,F) 薄膜のMBE成長に成功した。接合作製に必要なクリーンな表面を有するSmFeAs(O,F)薄膜の成膜法を開発し、その特許を出願した。SNS(超伝導/常伝導/超伝導)の積層型ジョセフソン接合を作製して50 Kで動作することを確認した。現在SIS(超伝導/絶縁層/超伝導)型のジョセフソン素子構造の試作段階にある。
英文要約Superconducting thin films of SmFeAs(O,F) with Tc > 55 K were successfully grown by MBE method. We fabricated SNS tunneling junction using SmFeAs(O,F) films, and it exhibited good potential for designing JJ devices operating at high temperatures of ~ 50 K.
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