成果報告書詳細
管理番号20110000001628
タイトル平成22年度成果報告書 平成21年度第1回採択産業技術研究助成事業 09A17019a 短尺カーボンナノチューブの創製とCNTトランジスタへの展開 平成22年度中間
公開日2012/3/13
報告書年度2010 - 2010
委託先名独立行政法人産業技術総合研究所斎藤毅
プロジェクト番号P00041
部署名技術開発推進部
和文要約これまで我々が開発してきたCNT短尺化(切断)技術に関して、装置構成や処理条件等様々な面で詳細に検討を行い、研究当初に設定した本研究の中間目標を達成した。また、CNTが部分的に配向した高密度成膜技術を新規開発し、分散液からの成膜法では世界最高レベルの密度を達成した。この技術を用いて半導体型の短尺CNTを高密度成膜した基板上にトランジスタ素子アレイを作製・評価し、ステージ2で計画していた目標の一つであるオンオフ比105 と移動度1cm2/Vs 以上の両立を達成した。
英文要約We have achieved one of the interim goals of this project through various improvements in our original method for cutting SWCNTs. Furthermore, we have developed a novel technique for forming SWCNT film with the highest level of tube density in the world. By using these techniques, we have prepared and characterized transistor devises of high-density film of short SWCNTs. From the result of characterization, all these devises have satisfied both of high on/off ratio (~105) and carrier mobility (1 cm2/Vs) that is one of the goals in stage II.
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