成果報告書詳細
管理番号20110000001637
タイトル平成21年度~平成22年度成果報告書  平成21年度第1回採択産業技術研究助成事業 09A13003a 垂直磁化フェリ磁性膜を電極に用いた低電力スピン注入磁化反転トンネル接合素子の開発 平成22年度最終
公開日2012/3/13
報告書年度2009 - 2010
委託先名国立大学法人東北大学水上成美
プロジェクト番号P00041
部署名技術開発推進部
和文要約Mn-Ga合金垂直磁化薄膜において摩擦(ダンピング)定数を系統的に調べた。磁気異方性定数Kuが約15 Merg/ccと大きいにも関わらず、摩擦定数が0.0075-0.015と非常に小さいことが分かった(垂直磁化膜で世界最小の報告値)。また、TMR比の増大をねらい、Mn-Ga合金垂直磁化トンネル接合における界面構造の最適化を行った。Mgを挿入した場合、Mgの厚さが薄いところでTMR比が上昇し、その後負の値を示す挙動を示した。界面酸化の抑制および電子状態の変化を反映するものと考えられる。他の界面修飾層を用いた場合には、室温で比較的大きなTMR比の増大が見られた。
英文要約Damping constant for perpendicularly magnetized Mn-Ga alloys films were investigated systematically. Even though perpendicular magnetic anisotropy Ku is as large as 10 Merg/cc, damping constant was very small, 0.0075-0.015 (the smallest values reported in perpendicularly magnetized films). In addition, to increase TMR ratio, interface structures were optimized in tunnel junction with Mn-Ga alloys electrode. In case of Mg insertion between MgO and Mn-Ga, TMR ratio increased and then became negative when Mg layer thickness increased. Those would reflect modification in atomic and electronic structures at the interface.Relatively large enhancement of TMR was observed when the other insertion metals were used.
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