成果報告書詳細
管理番号20110000001644
タイトル平成21年度~平成22年度成果報告書 平成21年度第1回採択産業技術研究助成事業 09B36007d 革新的な光取出し技術を利用したAlGaInP高効率発光ダイオード 平成22年度最終
公開日2012/3/13
報告書年度2009 - 2010
委託先名独立行政法人産業技術総合研究所王学論
プロジェクト番号P00041
部署名技術開発推進部
和文要約(1) GaInP/AlGaInPリッジ構造のMOVPE選択成長条件の確立を行った。その結果、GaInPに比べてSiO2マスク上への多結晶の析出が見られたものの、微細なリッジ構造の作製が可能であることが分かった。
(2) 作製したリッジ構造においてエバネッセント光の結合現象が発現していることはフォトルミネセンス測定により明らかにし、30%以上の光取り出し効率が得られた。
(3) エバネッセント光の結合効果を利用したLED作製のための基本プロセス(n型・p型ドーピング技術、共晶ボンディング技術、微細加工によるリッジ形成技術、ITO透明電極技術)を開発した。
英文要約(1) It is shown that sub-wavelength-sized GaInP/AlGaInP ridge structures can be fabricated as the case of GaInP by selective area MOVPE, though polycrystal deposition on the SiO2 mask was observed.
(2) The appearance of evanescent wave coupling effect in the grown ridge structure was clearly demonstrated by photoluminescence (PL) study, and light-extraction efficiencies exceeding 30% were obtained.
(3) Fabrication processes required for LEDs utilizing the evanescent wave coupling effect were developed.
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