成果報告書詳細
管理番号20110000001723
タイトル平成19年度~平成22年度成果報告書 平成19年度採択産業技術研究助成事業 07B41002a 高品質半導体ダイヤモンドによる耐環境低損失パワーデバイスの開発 平成22年度最終
公開日2012/3/13
報告書年度2007 - 2010
委託先名産業技術総合研究所梅澤仁
プロジェクト番号P00041
部署名技術開発推進部
和文要約p+層厚さの差によるひずみの差をp+/Ib構造をX線回折測定することにより評価し、2x1020/cm3程度のホウ素濃度の場合、5μm程度のp+膜厚でエピ成長方向の格子定数の増加がみられ、17μm程度の膜厚では面内方向の格子緩和が見られた。面内格子緩和には転位が伴うと考えられるため、ドーピング濃度の最適化や面内方向の局所パターニングなどによりp-/p+/Ibでの低歪構造を検討する必要がある。スパッタにより形成したAl2O3をフィールドプレートとして疑似縦型素子構造へ適用した。FP素子では1kVを超える耐圧が250℃動作環境で実現した。
英文要約Internal stress of p+/Ib structure is characterized by XRD/RSM measurement method. Increase of lattice constant by introducing boron of 1020/cm3 is confirmed even at 5μm thickness of the film. Al2O3 is utilized as a field-plate insulator of pseudo-vertical SBDs. High breakdown voltages of more than 1kV is realized at 250oC.
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