成果報告書詳細
管理番号20110000001578
タイトル平成21年度~平成22年度成果報告書 平成21年度第1回採択産業技術研究助成事業 09C46122a “サイズ効果フリー特性“を有するc軸配向ビスマス層状誘電体を用いた高温対応高容量薄膜コンデンサの開発 平成22年度最終
公開日2012/4/26
報告書年度2009 - 2010
委託先名国立大学法人東京工業大学舟窪浩
プロジェクト番号P00041
部署名技術開発推進部
和文要約平成22年度は以下の成果を得た。
1. エピタキシャル膜を用いた検討を行った結果、CaBi4Ti4O15は (Ba0.7Sr0.3)TiO3に比べて温度と電界に対して高い安定性を示すと伴に、高温まで高い絶縁性が維持できることが明らかになった。
2. 酸化物ナノシートを配向制御のバッファー層として用いることで、81nmまでの薄膜化に成功し、合わせて低い温度依存性を達成した。
英文要約We got the following results during this period.
1. CaBi4Ti4O15 films showed higher stability than (Ba0.7Sr0.3)TiO3 against the change of temperature and electric filed as well as the stable insulating characteristics up to high temperature.
2. Thin films down to 81 nm were achieved together with high temperature stability using buffer layers of oxide nano sheet to control film orientation.
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