成果報告書詳細
管理番号20110000001666
タイトル平成22年度成果報告書 平成21年度第1回採択産業技術研究助成事業 09E51007d 単結晶材料を用いた最高性能有機半導体論理素子の開発 平成22年度中間
公開日2012/4/26
報告書年度2010 - 2010
委託先名大阪府立産業技術総合研究所 宇野 真由美
プロジェクト番号P00041
部署名技術開発推進部
和文要約有機単結晶トランジスタにおいて、微細な凹凸をもつair-gap構造を採用することにより、
数μmという従来よりも非常に短チャネルの条件においても、p型材料としてルブレン、
n型として新材料PDIF-CN2を用いて、それぞれ約10cm2/Vs, 3 cm2/Vsの高移動度を得ることができた。
これらのトランジスタを用いて応答性能を評価した結果、ゲート電圧の立ち上がりに対する
ドレイン電流の応答立ち上がり時間はp型、n型ともに90 ns以下と、高速のチャネル応答速度が得られた。
英文要約High-performance organic transistors were developed with short channel length
of several um, using 'air-gap structures'.The values of carrier mobility in
p-type and n-type transistors were estimated to be as high as 10 cm2/Vs and 3 cm2/Vs,
respectively, adopting rubrene and newly-developed PDIF-CN2 as organic semiconductors.
Fast response from off- to on-state within 90 ns was observed with both transistors.
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