成果報告書詳細
管理番号20120000000889
タイトル*平成23年度中間年報 次世代パワーエレクトロニクス技術開発(グリーンITプロジェクト) SiCパワーデバイスを用いたデータセンタ用サーバ電源技術開発
公開日2012/8/9
報告書年度2011 - 2011
委託先名株式会社日立製作所
プロジェクト番号P09004
部署名電子・材料・ナノテクノロジー部
和文要約「和文要約等以下本編抜粋:」
本技術開発では、材料特性に優れたSiCを用いたパワーデバイス開発から、SiCパワーデバイスを用いたデータセンタ用高効率サーバ電源の実証に至る研究開発を以下の通り行う。
SiCパワーデバイスを用いたデータセンタ用サーバ電源技術開発電力容量が2kWのデータセンタ用電源の高効率化に向けて、電力変換技術の研究開発を行う。さらに、データセンタ用サーバ電源のプロトタイプを試作し、その低損失、高効率特性を実証する。その実現に必要なパワーデバイスの高性能化を行う。
英文要約 Utilizing 600V/40A normally-off SiC junction FETs of 2.1-mΩ・cm2 on-resistance and 600V/40A SiC SBDs, a prototype of power supply for servers in data center was developed, which demonstrated efficiency of 93.1 %. To achieve the efficiency, PFC (Power Factor Correction) circuit and DC-DC converter were optimized for high speed gate switching of SiC devices. In the PFC circuit, Zero Volt Switching circuit were applied to multi source terminals and speed-up capacitor. In the DC-DC converter, fast turn-off was realized without reducing dead-time.
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