成果報告書詳細
管理番号20120000000890
タイトル*平成23年度中間年報 次世代パワーエレクトロニクス技術開発(グリーンITプロジェクト)2 SiCパワーデバイスを用いた太陽光発電用パワーコンディショナ技術開発
公開日2012/8/2
報告書年度2011 - 2011
委託先名三菱電機株式会社
プロジェクト番号P09004
部署名電子・材料・ナノテクノロジー部
和文要約和文要約等以下本編抜粋:
1 . 研究開発の内容及び成果等本研究開発では、3 0 k W級の太陽光発
電用パワーコンディショナ( パワコン)のプロトタイプを試作し定格運転時の
効率が98% 以上となることを実証する。
また、その性能実現に必要なパワーデバイス( S i C - S B D とS i C - M O S F E T ) の高性能化を行うものである。
英文要約Title : Future Power Electronics Technology Development (Green IT Project) /
Development of Photovoltaic Inverter Technology with SiC devices. (FY2009-FY2012) FY2011 Annual Report.
 In FY 2011, we applied the post-oxidation annealing technique for NO to larger size SiC-MOSFETs with an effective area of 0.25cm2 (the rating current: 75A) and obtained very low resistive devices of 5mohm-cm2 at a current density of 300A/cm2.
We also fabricated a power converter of the 3-level system using SiC MOSFETs and SBDs. By measuring the input/output power of the converter, we also estimated the power conversion efficiency to be 30kW for the photovoltaic power generator and predicted the efficiency to be over 98%.
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