成果報告書詳細
管理番号20120000000563
タイトル*平成23年度中間年報 太陽エネルギー技術研究開発 太陽光発電システム次世代高性能技術の開発 極限シリコン結晶太陽電池の研究開発(次世代ヘテロ接合シリコン結晶太陽電池の接合評価)
公開日2012/10/27
報告書年度2011 - 2011
委託先名国立大学法人岐阜大学
プロジェクト番号P07015
部署名新エネルギー部
和文要約和文要約等以下本編抜粋:1. 研究開発の内容及び成果等
(1) 結晶Si太陽電池用の光起電力顕微鏡の開発
a-Si/c-Siヘテロ接合太陽電池における高効率化技術としてc-Si基板表面のテクスチャー形成が上げられる。しかしながら、a-Si薄膜の膜成長は下地であるc-Siの配向面によって影響を受けやすい。このため、テクスチャー構造を有するc-Si基板上へのa-Si薄膜の堆積は均一ではないことが考えられる。また、a-Si薄膜の膜厚は10nmと非常に薄いために被覆が不完全であることが考えられた。このために、光起電力顕微鏡を用いてテクスチャー基板におけるa-Si薄膜の評価を行った。
英文要約Title: High Performance PV Generation System for the Future. R and D on Ultimate Wafer-based Si Solar Cells. (Research on multiscale evaluation of thin heterojunction film for next genertion high efficiency solar cell by conductive AFM )(FY2010-2012)FY2011, Gifu University
The scan area of previous photovoltaic microscopy system is the width of ~20μm and the height of ~1.5μm. However, the textured size of c-Si substrate for a-Si/c-Si hetero junction solar cell is the width of ~5μm and the height of ~3μm. In this reason, the topological and current image was measured only part of the texture structure of c-Si substrate. To improve the performance, the wide range scanner (width of ~100μm, height of ~15μm) was introduced on the photovoltaic microscopy system. So, the system can measure the entire topological and current image of the textured c-Si substrate and expand to 100μm scanning area. In order to investigate the effect as passivation layer of a-Si thin film in a-Si/c-Si hetero junction solar cell, we measured micro-scale electrical properties of a-Si thin film deposited on textured c-Si substrate with photovoltaic microscopy. The film thickness of a-Si thin film is 10nm. We observed the leakage current in the ridgeline of the pyramid structure at low bias voltage (-0.5 - -1.0V). The leakage current was partially observed in the side of pyramid in the current images measured at high bias voltage (-1.5 - -2.0V). We confirmed that these leakages current were not observed in a-Si thin film deposited on polished c-Si substrate. Therefore, these results indicated the characteristics and film thickness of a-Si thin film deposited on textured c-Si have inhomogeneous distribution. Furthermore, we confirmed that these tendencies become clear in current images under light irradiation (Xe lamp).
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