成果報告書詳細
管理番号20120000001101
タイトル平成23年度成果報告書 平成21年度第1回採択産業技術研究助成事業 09A18003a 次世代半導体Geチャネルを利用した超低消費電力スピントランジスタの開発 平成23年度中間
公開日2012/10/27
報告書年度2011 - 2011
委託先名国立大学法人九州大学
プロジェクト番号P00041
部署名技術開発推進部
和文要約・ Fe3Si/p-Ge(111)接合の電気伝導において,素子サイズ(接合サイズ)に強く依存するショットキー障壁高さを観測した.これは,界面におけるFLPのメカニズムが,界面欠陥に起因していることを示唆するものであった.
・ Ge上へのハーフメタル電極作製条件を探索したが,ハーフメタル特性といえる結果を得るまでには至らなかった.
・ 貼り合わせ法を用いて高品質な歪みGOI(100)薄膜の形成に成功した.半導体スピンデバイスのチャネル構造の高速化が視野に入ってくる第一級の成果である.
英文要約1. By using atomically controlled Fe3Si/p-Ge(111) junctions, we verified that the Fermi-level pinning at metal/Ge interfaces originates from the extrinsic factors such as defects.
2. We explored epitaxial growth of Co-based Heusler compound thin films on Ge(111). However, we could not obtain half-metallic properties.
3. We achieved high-quality GOI(100) structures by combining MBE techniques with a wafer bonding one.
ダウンロード成果報告書データベース(ユーザ登録必須)から、ダウンロードしてください。

▲トップに戻る