成果報告書詳細
管理番号20120000001157
タイトル平成21年度~平成23年度成果報告書 ナノエレクトロニクス半導体新材料・新構造ナノ電子デバイス技術開発 ナノギャップ不揮発性メモリ技術の研究開発(2)
公開日2012/11/22
報告書年度2009 - 2011
委託先名株式会社船井電機新応用技術研究所
プロジェクト番号P09002
部署名電子・材料・ナノテクノロジー部
和文要約件名:平成21年度~平成23年度成果報告書 ナノエレクトロニクス半導体新材料・新構造ナノ電子デバイス技術開発/ナノギャップ不揮発性メモリ技術の研究開発
 縦型の金属ナノギャップ(NGS)素子の作製方法を研究、改善して、4kbメモリデバイスを試作した。NGS素子単体および4kbメモリの測定評価から、4kb歩留まり、Bitバラツキ、書き換え成功率の向上と書き換えスピードの高速化を実現し、稠密性についても最先端の描画レベルの微細なものまで動作を確認した。
 各数値目標については、現在も評価を継続中の書き換え耐性(Endurance)以外は達成し、不揮発性メモリとしての実デバイス応用への可能性を実証した。
1)最小NGSの領域(ドット縦型)の直径: hole径=40nm
2)高速性:100ns(To Hi-R:1ns,To Low-R:≒50ns)但しVerfyが必要
3)Endurance:105回 (目標:106回)
英文要約Title:Innovation Research Project on Nanoelectronics Materials and Structures (FY2009-FY2011)Final Report
 We investigate and improve the fabrication process of vertical type metal nanogap switching element and produce the 4kb memory device. By measurements and evaluations of this 4kb memory and single NGS element, we improve 4kd yield, bit (resistance) distributions, write success probability and write speed. We confirm operations of the cutting edge fine density NGS by EB lithography. We reach the each numerical target with the exception of endurance, evaluation of which is continued and prove the reality of memory device application.
1)minimum NGS domain diameter(vertical dot type): hole diameter =40nm
2)write pulse speeds :100ns(To Hi-R:1ns,To Low-R:≒50ns)need verfy
3)Endurance:105 times(Target:106cycles)
ダウンロード成果報告書データベース(ユーザ登録必須)から、ダウンロードしてください。

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