成果報告書詳細
管理番号20120000001159
タイトル平成21年度~平成23年度成果報告書 ナノエレクトロニクス半導体新材料・新構造ナノ電子デバイス技術開発
公開日2012/12/4
報告書年度2009-2011
委託先名独立行政法人産業技術総合研究所 国立大学法人東京大学生産技術研究所 株式会社東芝 国立大学法人東京大学 独立行政法人物質・材料研究機構
プロジェクト番号P09002
部署名電子・材料・ナノテクノロジー部
和文要約「ナノエレクトロニクス半導体新材料・新構造ナノ電子デバイス技術開発」
 /1.シリコンナノワイヤ技術
 /2.次世代メモリ技術
 /3.新材料技術
研究開発項目1~(1)
「シリコンナノワイヤトランジスタの知識統合研究開発」
研究開発項目1~(3)
「シリコンナノワイヤトランジスタの物性研究とその集積化に関する研究開発」
研究開発項目2~(1)
「新構造FinFETによるSRAM技術の研究開発」
研究開発項目2~(2)
「次世代相変化メモリ技術の研究開発」
研究開発項目3~(2)
「シリコンプラットフォーム上3-5族半導体チャネルトランジスタ技術の研究開発」
英文要約Development of Nanoelectronic Device Technology Project
1-(1)
Comprehensive Study of Si Nanowire Transistors and Related Technologies
1-(3)
Si nanowire transistor
2-(1)
Development of Highly Reliable SRAM Circuits Utilizing Advanced FinFET
2-(2)
Research and Development on Advanced Phase-Change Memory Device
3-(2)
Development of Transistor Technology Incorporating III-V Semiconductor Channels on Si Platform
ダウンロード成果報告書データベース(ユーザ登録必須)から、ダウンロードしてください。

▲トップに戻る