成果報告書詳細
管理番号20130000000019
タイトル平成23年度成果報告書 平成23年度採択先導的産業技術創出事業11B07010d スピン波を用いた不揮発性スイッチ素子の開発 平成23年度中間
公開日2013/3/20
報告書年度2011 - 2011
委託先名国立大学法人東北大学 水上 成美
プロジェクト番号P00041
部署名技術開発推進部
和文要約○装置導入およびデバイス評価装置の測定系を構築するとともに、いくつかの二端子スピン波素子を作製し、
スピン波伝搬の観測に成功した。膜厚やチャネル幅によってスピン波の伝搬の仕方が異なることが明らかになり、
デバイス設計・作製上の指針を得た。
○垂直磁化チャネル層として低ダンピング定数を示すCoFeB極薄膜の開発を達成した。
○垂直磁化チャネル層として層として、Mn-Ga/Fe二層膜を開発した。比較的小さいダンピング定数を得ることができたと同時に、
Mn-Ga/Fe二層膜を下部電極とするトンネル接合を作製し、室温で約80%のトンネル磁気抵抗比(TMR)比を得た。
英文要約○The equipment was installed and measurement set-up was constructed.
Several kinds of two-terminal spin-wave devices were fabricated and tested.
Spin-wave propagation was successfully observed. The channel thickness and width dependence
of propagation was clarified, which helps to design the devices.
○Perpendicularly magnetized CoFeB thin films with low damping constant
was developed as a spin-wave channel layer.
○Perpendicularly magnetized Fe/Mn-Ga bilayer films was developed
as a spin-wave channel layer. Low damping constant was achieved,
and TMR ratio of 80 % was observed in magnetic tunnel junction with Fe/Mn-Ga channel layers.
ダウンロード成果報告書データベース(ユーザ登録必須)から、ダウンロードしてください。

▲トップに戻る