成果報告書詳細
管理番号20130000000119
タイトル*平成24年度中間年報 太陽エネルギー技術研究開発 太陽光発電システム次世代高性能技術の開発 CZTS薄膜太陽電池の高効率化技術の研究開発 計算科学を用いた材料・プロセス設計とモデル実証研究
公開日2013/6/22
報告書年度2012 - 2012
委託先名龍谷大学
プロジェクト番号P07015
部署名新エネルギー部
和文要約
英文要約Title: Development of high-efficiency CZTS solar cells and submodules (FY2012-FY2013) FY2012 Annual Report

First-principles studies of the defect formation in Cu2ZnSnS4 (CZTS) are performed. We showed that Cu vacancy, Cu at the Zn site and complex defect of Cu at Zn and Zn at Cu site are stable in Cu-poor and Zn rich condition. The Cu at the Zn site was the most stable among these defects. The Cu at the Zn site formed deep acceptor level. The Cu vacancy formed shallow acceptor level. The complex defect of Cu at Zn and Zn at Cu site had neutral character.

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