成果報告書詳細
管理番号20130000000947
タイトル平成24年度成果報告書 平成21年度第1回採択産業技術研究助成事業 09A18003a 次世代半導体Geチャネルを利用した超低消費電力スピントランジスタの開発 平成24年度最終
公開日2013/11/12
報告書年度2012 - 2012
委託先名国立大学法人九州大学浜屋宏平
プロジェクト番号P00041
部署名技術開発推進部
和文要約ホイスラー合金Fe3Si薄膜の室温結晶規則化に関する知見を得る事で,これまで課題となっていたCo2FeSi/δ-Ge界面の高品質形成を実現した.これらの高品質ショットキートンネル界面を利用することで,n-Geへの室温スピン注入に成功した.また,Si(111)上へのGe(111)低温成長技術と貼り合わせ法を用いて高品質なGOI薄膜の形成することに成功した.GeスピンMOSFET専用のソース・ドレイン構造およびチャネル構造の実現である.
英文要約1.By using room-temperature MBE techniques, we have demonstrated Co2FeSi/δ-Ge heterostructures.
2.Room-temperature detection of spin accumulation in Ge has been demonstrated.
3.GOI(111) structures can be fabricated by combining MBE techniques with a wafer bonding one.
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