成果報告書詳細
管理番号20130000001028
タイトル平成22年度成果報告書 SBIR技術革新事業 デジタルLSI免疫センサーによる極微量有害物質測定装置の研究開発
公開日2013/12/17
報告書年度2010 - 2010
委託先名京都市
プロジェクト番号P08015
部署名技術開発推進部
和文要約件名:平成22年度成果報告書 SBIR技術革新事業/デジタルLSI免疫センサーによる極微量有害物質測定装置の研究開発

我々は新規に開発されたIon Sensing Field Effect Transistor(ISFET)センサのための標識用酵素、基質、反応用緩衝液、抗原固定用ビーズを検討し、抗原抗体反応系を構築した。その結果、直径300nmの磁気ビーズを利用したISFETセンサーシステムはPCB(Kanechlor400)を標的とし、5ng/mlから500ng/mlの濃度域で非常に高い相関を示す免疫反応を検出することができた。
英文要約Title:Technology Innovation Program for Small Business Innovation Research (SBIR)/Research and development of micro amount hazardous substance detector, using digital LSI immunosensor. (FY2010)Final report

We developed a novel Ion Sensing Field Effect Transistor (ISFET) sensor. To measure antigen-antibody reactions with using the device, we investigated the conditions of enzymes for labeling, substrates, beads for conjugating antigens and reaction buffers. We finally succeed in constructing the method to measure such reactions by our device. When we used magnetic beads (300 nm in diameter) and enzyme-labeled antibodies, our device detected the antigen-antibody reactions of PCB (Kanechlor 400) with high sensitivity and the analysis data showed high correlation in the range of 5 ng/ml to 500 ng/ml.
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