成果報告書詳細
管理番号20130000001077
タイトル平成24年度成果報告書 平成24年度採択先導的産業技術創出事業 11B07018d 垂直磁化材料を用いたゲート電界磁化制御型スピンMOSFETの構築 平成24年度中間
公開日2014/1/22
報告書年度2012 - 2012
委託先名国立大学法人東北大学好田誠
プロジェクト番号P00041
部署名技術開発推進部
和文要約本年度は、これまで確立してき垂直磁化強磁性金属から半導体へのスピン注入をベースとし、スピンMOSFETにおいてチャネル長を決めるうえで重要となる半導体内でのスピン輸送を詳細に調べた。空間分解Kerr測定法を用いることで、電気的にスピン注入された電子スピンの空間マッピングを行いGaAsにおけるスピン緩和長を明らかにした。
また効率的ゲート電界磁化反転に向けた、BiFeO3の極薄膜化にも取り組み、結晶成長条件を最適化することで1.2nmのBiFeO3エピタキシャル膜を歪み転位を生じること無くSrTiO3基板上に成長させることに成功した。
英文要約In order to realize spin MOSFET based on gate controlled magnetization reversal, we will employ (1)III-V semiconductor channel structure to enhance the mobility, (2)Perpendicular magnetized material as source and drain ferromagnetic electrodes and (3)Magnetization reversal through the gate electric field. In the research period, we realized spin transport in GaAs channel by injecting the spin polarized electrons from L10-FePt/MgO structure. We also realized ultrathin film of BiFeO3 for efficient control of magnetization reversal.
ダウンロード成果報告書データベース(ユーザ登録必須)から、ダウンロードしてください。

▲トップに戻る