成果報告書詳細
管理番号20130000001095
タイトル平成24年度成果報告書 平成24年度採択先導的産業技術創出事業 11B06003d 次世代パワー集積回路の実現に向けた低抵抗Pチャネル型GaN素子の開発 平成24年度最終
公開日2014/1/24
報告書年度2012 - 2012
委託先名独立行政法人産業技術総合研究所中島昭
プロジェクト番号P00041
部署名技術開発推進部
和文要約分極接合ウエハにおけるGaN/AlGaNヘテロ界面の2次元正孔ガス(2DHG)の発生メカニズムを明らかにした。これによって、2DHG濃度制御が可能となった。また、2DHGの伝導機構がバンド伝導であることが分かった。また散乱機構を調べ、室温付近における移動度のボトルネックが音響フォン散乱であることが分かった。2DHGの物性値をもとにPチャネルGaN素子の特性オン抵抗を試算した。また、分極接合をプラットホームとして、Pチャネル型HFETの動作実証に成功した。これによって、Pチャネル型およびNチャネル型HFETをワンチップ化を世界で初めて成功した。
英文要約Formation mechanism of 2D hole gas (2DHG) in polarization-junction GaN wafers has been clarified. 2DHG can be designed by using device simulation. 2DHG shows band-conduction in wide temperature ranges. 2DHG mobilities are limited by acoustic phonon scattering. Based on the measured electrical properties, RonA of p-channel HFET have been estimated. In addition, we have successfully demonstrated monolithic integration of GaN-based p- and n-channel HFETs.
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