成果報告書詳細
管理番号20130000001096
タイトル平成24年度成果報告書 平成24年度採択先導的産業技術創出事業 11B07003d 光通信波長帯面発光半導体レーザの偏光双安定特性を用いる全光シフトレジスタ型メモリの集積構造モジュールの実現 平成24年度最終
公開日2014/1/24
報告書年度2012 - 2012
委託先名国立大学法人奈良先端科学技術大学院大学片山健夫
プロジェクト番号P00041
部署名技術開発推進部
和文要約偏光双安定VCSELをモジュール化する際に、偏波消光比の低下と双安定の不安定さが前年度問題となっていたが、精密な光学調整とファイバ端面にARコートを施すことで解決した。偏光双安定VCSELアレイの設計を開始し、250 μm間隔のアレイ化が可能であることが分かった。また、光入力による偏光スイッチング動作の誤り率は、光メモリにとって重要な特性であるため評価を行い10-10 程度の低いエラー率となった。併せて、メモリ素子と同じ動作原理により、全光型のANDゲート素子とホールド素子とすることで、光ルータの一機能であるヘッダー識別を実現する発展応用の研究も行った。
英文要約Last year’s issues of reduced polarization extinction ratio and imbalanced bistability when modularizing VCSEL were fixed with accurate optical adjustments and AR coating of the fiber end. Starting the design of polarization bistable VCSEL arrays, the possibilities of arraying every 250 μm intervals was revealed.
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