成果報告書詳細
管理番号20130000000049
タイトル平成23年度成果報告書 平成23年度採択先導的産業技術創出事業11B04013c 超低コスト製造プロセス開発に向けたレアメタルフリー無機化合物薄膜太陽電池の非真空作製法に関する研究 平成23年度中間
公開日2014/9/17
報告書年度2011 - 2011
委託先名国立大学法人大阪大学池田茂
プロジェクト番号P00041
部署名技術開発推進部
和文要約CZTSSe化合物薄膜の電析:金属電析膜を硫化してCZTSSe薄膜を形成させる方法においては、硫化条件を検討することで、ボイドが少なくMo基板との密着性が良好なCZTS薄膜を得ることに成功した。これをベースとする太陽電池素子において、最高で5.6%の変換効率を達成した。また、Cu、Zn、Sn、Seの各イオン種を含む溶液からCZTSe薄膜を得る新たな手法に取組み、CZTSe微結晶が主生成物となる電析条件を見出した。これを硫化水素流通下で加熱することで、グレインの成長したCZTSが得られた。この 薄膜はp型半導体としての光応答を示したが、不純物やボイド・ピンホールに起因する漏れ電流(暗電流)が顕著であった。組成比制御や薄膜の緻密化により特性は改善しつつある。
常圧CVDによるZnO透明電極の作製:回転型の独自の反応容器のデザインにより、常圧で原子層堆積方式でZnO薄膜を高速製膜できることを確認した。ガリウムドープのZnO薄膜において抵抗率3.8×10-3 Ω を得られた。
英文要約Electrochemical fabrication of CZTSSe photoabsorber: (1) the best conversion efficiency of 5.6 % was achieved by using the CZTS film fabricated from a Cu-Sn-Zn metallic stack; (2) a CZTSSe film having p-type photoconductivity was obtained by single-step electrodeposition from an acidic electrolyte containing Cu(II), Zn(II), Sn(IV), and Se(IV) species.
Atmospheric pressure MOCVD synthesis of ZnO-based TCO: efficient reactor was designed for atomic layer deposition with fast deposition rates.
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