成果報告書詳細
管理番号20150000000039
タイトル平成25年度成果報告書 平成23年度採択先導的産業技術創出事業 11B07018d 垂直磁化材料を用いたゲート電界磁化制御型スピンMOSFETの構築 平成25年度中間
公開日2016/3/25
報告書年度2013 - 2013
委託先名国立大学法人東北大学好田誠
プロジェクト番号P00041
部署名イノベーション推進部
和文要約本年度は、スピンMOSFET動作において重要技術となる強磁性のゲート制御、電気スピン注入における界面準位の影響、スピン緩和の抑制について重点的に研究を進めた。具体的には、(1)AlO/Co/Pt構造において電気二重層ゲートを用いることで高効率ゲート制御磁気変調に成功し、その起源がコバルトと酸素の可逆的な酸化状態に起因することを突き止めた。(2) L10-FePt/MgO/n-GaAs構造において3端子スピン検出法と空間分解カー回転測定法によりスピン緩和時間を評価し、MgO/GaAs界面準位におけるスピン緩和とn-GaAsチャネルにおけるスピン緩和の分離評価に成功した。(3)半導体細線構造においてラシュバスピン軌道相互作用とドレッセルハウススピン軌道相互作用を精密制御することで、スピン緩和を抑制できる永久スピン旋回状態を実現した。
英文要約In order to realize a spin MOSFET based on gate controlled magnetization reversal, we demonstrated (1) Gate control of ferromagnetism in AlO/Co/Pt structure by an electronic double layer transistor and reversible oxidization of Co layer would be the origin of large modulation for ferromagnetism. (2) Distinguishing spin relaxation in interface trapped states and in n-GaAs bulk channel by comparing the three-terminal spin detection and spatial resolved Kerr rotation methods. (3) Precise control of Rashba and Dresselhaus spin orbit interaction in InGaAs wire structures and demonstration of persistent spin helix state.
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