成果報告書詳細
管理番号20150000000046
タイトル平成25年度成果報告書 平成23年度採択先導的産業技術創出事業 11B06004d 高密度・近接プラズマによる1ピースフロー型・超高速・三次元DLC成膜装置の開発 平成25年度中間
公開日2016/3/25
報告書年度2013 - 2013
委託先名国立大学法人名古屋大学上坂裕之
プロジェクト番号P00041
部署名イノベーション推進部
和文要約1.MVP法で超高速DLC成膜を行う場合において成膜面へのガス吹付けによる増速効果のメカニズムを検討した。成膜面近傍のガス組成を質量分析した結果、TMS比の増大の理由として当初考えられた、成膜面近傍でのTMS比の増加は生じていないことが分かった。また、成膜速度増加要因として考えられた、局所的な原料ガス濃度の増加も生じていないことが分かった。
2.コアシーズであるマイクロ波励起・高密度・基材近接プラズマの解析(Arガス,2次元軸対称座標,プラズマ-マイクロ波連成)ができるようになった。
英文要約2.In case of ultra-high-speed deposition of DLC with MVP, the mechanism of deposition rate increase with gas-blowing was investigated. Mass spectrum analys of gases showed that increase of TMS ratio in gas density, which was first assumed to be the main reason for the increase of Si/C in DLC, was not seen. In addition, It was also indicated that the local increase of source gas density, which was first assumed to be the main reason for the increase of deposition rate of DLC, is not seen.
2.The core seeds of this project, or microwave-excited high-density near plasma was successfully calculated by using a commercial software (Ar gas, 2D r-z coordinate, microwave-plasma coupling).
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