成果報告書詳細
管理番号20150000000832
タイトル平成23年度ー平成27年度成果報告書 先導的産業技術創出事業 11B07018d 垂直磁化材料を用いたゲート電界磁化制御型スピンMOSFETの構築 平成27年度最終
公開日2016/3/15
報告書年度2011 - 2015
委託先名国立大学法人東北大学好田誠
プロジェクト番号P00041
部署名イノベーション推進部
和文要約本研究で提案するゲート電界制御型スピンMOSFET構造は、高移動度III-V族化合物半導体をチャネルに用いること、高い磁気異方性を有する垂直磁化強磁性膜をソース・ドレイン電極に利用すること、そしてゲート電界磁化制御を応用する、この3つの特徴を有している。本年度は、垂直磁化材料FePtをソース・ドレイン電極にしたトランジスタデバイスを作製し磁化方向に起因するスピン依存伝導を観測した。これは強磁性層をメモリとして活用するスピンMOSFETに必要不可欠であるスピン情報の検出が可能になることを意味し、デバイス応用上大きな進展と言える。さらに極薄Co/Pt垂直磁化膜のゲート電界制御においてCo層の酸化状態に依存し強磁性のゲート制御が大きく変化することを突き止めた。これはゲート電界磁化制御に必要となる強磁性層の最適化が進んでいることを意味する。
英文要約We propose and investigate a perpendicular magnetization based spin MOSFET with a gate controlled magnetization technique to overcome leak current and signal delay on present MOSFET and logic circuits. By combining a field effect transistor and ferromagnetic based non-volatile memory, we can reduce the signal delay between logic and memory circuits. In addition to that, static power reduction and low power consumption are enabled due to the gate controlled magnetization reversal and its non-volatility.
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