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Press Release

NEDOプロジェクトの研究開発成果を国際学会IEDM2016で発表

―世界的に権威のある国際学会で2件採択―
2016年12月6日
国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構
理事長 古川一夫

NEDOプロジェクトにおいて東京大学および光電子融合基盤技術研究所(PETRA)、東京工業大学他による研究開発成果2件が、半導体デバイス分野で世界的に権威のある国際学会IEDM(IEEE International Electron Devices Meeting)に採択され、12月3日から米国サンフランシスコで開催されているIEDM2016で成果を発表します。

1.概要

NEDOは、あらゆるモノがインターネットでつながるIoT(Internet of Things)が産業社会に広範な影響を及ぼすとの問題意識のもと、政府と一体となって幅広い分野にまたがるIoT関連プロジェクトを推進しています。

今般、NEDOプロジェクト「超低消費電力型光エレクトロニクス実装システム技術開発」において、ウェハーボンディング技術※1によるInGaAsP/SiハイブリッドMOS構造※2を用いた光変調器※3を実証中の国立大学法人東京大学(以下、東京大学)および技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(以下、PETRA)と、同じくNEDOプロジェクト「低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクス」において、微細化によるシリコンパワートランジスタ※4の性能向上を実証中の国立大学法人東京工業大学(以下、東京工業大学)他(東京大学、国立大学法人九州工業大学、学校法人明治大学、国立研究開発法人産業技術総合研究所、株式会社東芝、三菱電機株式会社)のそれぞれの研究開発成果が半導体デバイス分野で世界的に権威のある国際学会IEDM(IEEE International Electron Devices Meeting)※5に採択され、12月3日から米国サンフランシスコで開催されている国際学会IEDM2016で成果を発表します。

IEDMは、International Solid-State Circuits Conference(ISSCC)※6、Symposia on VLSI Technology and Circuits(VLSIシンポジウム)※7とならび半導体分野の3大国際学会の1つであり、採択率が非常に低く、各研究機関の技術レベルを示す学会として注目されています。

2.成果発表の概要

【1】InGaAsP/SiハイブリッドMOS構造を用いた光変調器の実証

「超低消費電力型光エレクトロニクス実装システム技術開発」プロジェクトによる発表成果は、東京大学およびPETRAが実施中の光変調器の研究によるものです。Si基板上にウェハーボンディング技術を用いてInGaAsP層を貼り合せることで形成したInGaAsP/SiハイブリッドMOS構造の光変調器を世界で初めて実証しました。これにより、シリコンフォトニクス※8による高効率光変調器の実現とデータ伝送の省電力化への貢献が期待されます。

【2】微細化によるシリコンパワートランジスタの性能向上の実証

「低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクス」プロジェクトによる発表成果は、東京工業大学他が実施中の微細化によるシリコンパワートランジスタの研究によるものです。Si-IGBT※9のスケーリング(微細化)により、オン動作時の単位面積あたりの電流密度を高めることで、従来比約50%の抵抗値等の性能向上を実証しました。これにより、市場のさらなる拡大とともに、電力制御システムの飛躍的高効率化と低コスト化を実現する次世代技術としてグローバルな省エネルギー社会への貢献が期待されます。

【用語解説】

※1 ウェハーボンディング技術
接着剤を使わずに2枚の基板を接合する技術
※2 InGaAsP/SiハイブリッドMOS構造
半導体層にInGaAsP(In=インジウム、Ga=ガリウム、As=ヒ素、P=リンの化合物)とSiの両方を利用したMOS(金属-酸化膜-半導体)構造
※3 光変調器
光の波長・強度・位相などを、主に電気信号などで変化させる素子
※4 シリコンパワートランジスタ
ケイ素(Silicon、シリコン)を材料とし、大電力(一般的に1W以上)を取り扱うトランジスタ
※5 IEDM(IEEE International Electron Devices Meeting)
半導体のデバイス技術とプロセス技術に関する国際学会
※6 International Solid-State Circuits Conference(ISSCC)
半導体回路とシステム技術に関する国際学会
※7 Symposia on VLSI Technology and Circuits(VLSIシンポジウム)
半導体のデバイス技術と回路技術に関する国際学会
※8 シリコンフォトニクス
シリコン基板上に発光素子、受光素子、光変調器などの光デバイスを集積する技術
※9 Si-IGBT
ケイ素(Silicon、シリコン)を半導体材料とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(Insulated Gate Bipolar Transistor)の略称。パワー半導体素子のひとつで、MOS構造を組み込んだもの。

3.問い合わせ先

(本ニュースリリースの内容についての問い合わせ先)

NEDO IoT推進部 担当:水野、荒川、柚須、岡本 TEL:044-520-5211

(その他NEDO事業についての一般的な問い合わせ先)

NEDO 広報部 担当:坂本、髙津佐、藤本 TEL:044-520-5151 E-mail:nedo_press@ml.nedo.go.jp