低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクスプロジェクト(次世代パワーエレクトロニクス技術開発(グリーンITプロジェクト))
事業・プロジェクト概要
事業期間:平成21年度~平成24年度、予算総額:21.57億円
近年、地球温暖化の観点から、IT機器の省エネルギー化が重要な課題となっています。この課題解決に資するために、本プロジェクトでは、データセンタやその電力源としての分散型太陽光発電システムにおける交流・直流変換等、電力制御に用いられているパワーデバイスを、従来のシリコンに代わり、より低損失かつ高耐電圧であるシリコンカーバイド(SiC)を用いたものとする技術開発を行うとともに、システムレベルでの実証を行います。具体的な開発項目は以下の3つです。
- SiCパワーデバイスを用いたデータセンタ用サーバ電源技術開発
SiCパワーデバイスの高性能化技術開発と、この開発により得られた高性能デバイスをサーバ電源へ適用するための電力変換技術の開発を行い、数kW級のデータセンタ用電源の早期実用化を目指します。 - SiCパワーデバイスを用いた太陽光発電用パワーコンディショナ技術開発
SiCパワーデバイスの高性能化技術開発と、この開発により得られた高性能デバイスを太陽光発電用パワーコンディショナへ適用するための電力変換技術開発を行い、数10kW級の太陽光発電システム用パワーコンディショナの早期実用化を目指します。 - 次世代SiCパワーデバイス・電力変換器基盤技術開発
より小型で、より大きい電力を扱える革新的な電力変換器を実現するために、SiCパワーデバイスの特徴を生かして200~250℃と高温で動作させるための実装技術等の高度化基盤技術開発を行います。
■SiCデバイスを利用した低損失電力変換器実現への道のり

関連成果(プロジェクト実施者の対外発表記事)
日付 | 実施者 | タイトル |
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2014年5月15日 | 三菱電機株式会社 |
基本情報
技術・事業分野 | 電子デバイス | プロジェクトコード | P09004 |
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担当部署 | 電子・材料・ナノテクノロジー部 (TEL:044-520-5210) |
詳細資料
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基本計画(334KB)
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実施方針:平成24年度版(557KB)
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実施方針:平成23年度版(308KB)
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実施方針:平成22年度版(184KB)
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実施方針:平成21年度版(146KB)
短期的アウトカム概要(6年間の追跡調査により把握した状況)
■追跡対象企業のPJ終了後6年目のステージ状況
対象企業数:6社
- 上市:3
- 製品化:0
- 研究・開発を継続中:3
- 中止・中断:0
最終更新日:2019年3月29日