次世代半導体材料・プロセス基盤（MIRAI）プロジェクト
基本情報
| 技術・事業分野 |
半導体
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| プロジェクトコード |
P01014 |
| 担当部 |
電子・材料・ナノテクノロジー部 |
| 連絡先 |
044-520-5210 |
| 詳細資料 |
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事業・プロジェクト概要
事業期間：平成13年度～平成22年度、予算総額：465.15億円
PL：渡辺 久恒（株式会社 半導体先端テクノロジーズ 代表取締役社長）
情報通信機器の高機能化、低消費電力化の要求を満たすシステムLSI等を実現するため、半導体の微細化・集積化に対応した半導体デバイス・プロセス基盤技術の開発に取り組み、ハーフピッチ（hp）45nm以細の課題を解決する技術選択肢を提示することを目指します。具体的には、新構造極限CMOS トランジスタ関連技術、新探究配線技術（平成21年度末に目標水準を達成し終了）、特性ばらつきに対し耐性の高いデバイス・プロセス技術による「次世代半導体材料・プロセス基盤技術開発」と、極端紫外線（EUV：Extreme Ultra Violet）露光システムを用いたリソグラフィのマスク高品位化、ならびにEUV光源の高信頼化を図る「次世代半導体露光プロセス基盤技術開発」を行います。
■トランジスタ断面構造の模式図と関連技術開発（次世代半導体材料・プロセス基盤技術開発）
■EUV露光装置およびマスクの概念図と関連技術開発（次世代半導体露光プロセス基盤技術開発）
関連成果（プロジェクト実施者の対外発表記事）
| 日付 |
実施者 |
タイトル |
| 2012年4月12日 |
セイコーインスツル株式会社 |
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短期的アウトカム概要（6年間の追跡調査により把握した状況）
■追跡対象企業のPJ終了後6年目のステージ状況
対象企業数：52社
- 上市：5
- 製品化：3
- 研究・開発を継続中：15
- 中止・中断：29
最終更新日：平成29年3月24日
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