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次世代半導体材料・プロセス基盤(MIRAI)プロジェクト

基本情報

技術・事業分野 半導体 プロジェクトコード P01014

事業・プロジェクト概要

事業期間:平成13年度~平成22年度、予算総額:465.15億円
PL:渡辺 久恒(株式会社 半導体先端テクノロジーズ 代表取締役社長)
 
 情報通信機器の高機能化、低消費電力化の要求を満たすシステムLSI等を実現するため、半導体の微細化・集積化に対応した半導体デバイス・プロセス基盤技術の開発に取り組み、ハーフピッチ(hp)45nm以細の課題を解決する技術選択肢を提示することを目指します。具体的には、新構造極限CMOS トランジスタ関連技術、新探究配線技術(平成21年度末に目標水準を達成し終了)、特性ばらつきに対し耐性の高いデバイス・プロセス技術による「次世代半導体材料・プロセス基盤技術開発」と、極端紫外線(EUV:Extreme Ultra Violet)露光システムを用いたリソグラフィのマスク高品位化、ならびにEUV光源の高信頼化を図る「次世代半導体露光プロセス基盤技術開発」を行います。
 
■トランジスタ断面構造の模式図と関連技術開発(次世代半導体材料・プロセス基盤技術開発)

 
■EUV露光装置およびマスクの概念図と関連技術開発(次世代半導体露光プロセス基盤技術開発)

関連成果(プロジェクト実施者の対外発表記事)

日付 実施者 タイトル
2012年4月12日 セイコーインスツル株式会社
 

短期的アウトカム概要(6年間の追跡調査により把握した状況)

■追跡対象企業のPJ終了後6年目のステージ状況

対象企業数:52社

  • 上市:5
  • 製品化:3
  • 研究・開発を継続中:15
  • 中止・中断:29

最終更新日:平成29年3月24日

 

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