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パワーエレクトロニクスインバータ基盤技術開発

基本情報

技術・事業分野 半導体 プロジェクトコード P06019

事業・プロジェクト概要

事業期間:平成18年度~平成20年度、予算総額:40.5億円
PL:荒井 和雄(独立行政法人 産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター センター長)
 
  近年、情報通信機器の処理能力の増大、ハイブリッド/燃料電池自動車の開発・普及、家庭用電力システムの開発などに伴い省エネルギー化に貢献するパワーエレクトロニクス技術の新規開発が求められています。従来のシリコン(Si)を用いたパワースイッチング素子は物性的な限界に到達しつつあるため、本プロジェクトではワイドギャップ半導体(SiC)スイッチング素子を用いた革新的パワーエレクトロニクス機器の開発を行います。具体的な開発項目は以下の2つです。
(1)高効率・高密度インバータユニット技術開発
  低損失高密度化の要求が高いパワーエレクトロニクス機器を対象として、SiC スイッチング素子を用いたインバータユニットの技術開発を行い、その早期実用化を目指します。
(2)高効率・高密度インバータ革新的高度化基盤技術開発
  革新的な超低損失高密度インバータを実現するために、SiC 材料のポテンシャルを最大限活用したインバータ高度化基盤技術開発を行います。
 
■SiC デバイス性能と応用マップ

短期的アウトカム概要(6年間の追跡調査により把握した状況)

■追跡対象企業のPJ終了後6年目のステージ状況

対象企業数:3社

  • 上市:0
  • 製品化:0
  • 研究・開発を継続中:2
  • 中止・中断:1

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