パワーエレクトロニクスインバータ基盤技術開発

基本情報

技術・事業分野	半導体
プロジェクトコード	P06019

担当部	電子・情報技術開発部
連絡先	044-520-5210
詳細資料	基本計画（175KB）実施方針：平成20年度版（194KB）実施方針：平成19年度版（242KB）実施方針：平成18年度版（191KB）

事業・プロジェクト概要

事業期間：平成18年度～平成20年度、予算総額：40.5億円
PL：荒井和雄（独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センターセンター長）

  近年、情報通信機器の処理能力の増大、ハイブリッド／燃料電池自動車の開発・普及、家庭用電力システムの開発などに伴い省エネルギー化に貢献するパワーエレクトロニクス技術の新規開発が求められています。従来のシリコン（Si）を用いたパワースイッチング素子は物性的な限界に到達しつつあるため、本プロジェクトではワイドギャップ半導体（SiC）スイッチング素子を用いた革新的パワーエレクトロニクス機器の開発を行います。具体的な開発項目は以下の2つです。
（1）高効率・高密度インバータユニット技術開発
  低損失高密度化の要求が高いパワーエレクトロニクス機器を対象として、SiC スイッチング素子を用いたインバータユニットの技術開発を行い、その早期実用化を目指します。
（2）高効率・高密度インバータ革新的高度化基盤技術開発
  革新的な超低損失高密度インバータを実現するために、SiC 材料のポテンシャルを最大限活用したインバータ高度化基盤技術開発を行います。

■SiC デバイス性能と応用マップ