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SIP「次世代パワーエレクトロニクス」公開シンポジウムの開催

どこでもパワエレ機器で豊かな省エネ社会
2019年2月20日

パワーエレクトロニクス技術は、さまざまな電子機器の省エネ化を実現し、快適で便利な生活と自然環境との共存を可能にするキーテクノロジーの1つです。

世界のパワーエレクトロニクス市場が成長する中、世界に先駆けて技術開発を行い、日本の産業競争力を高め、豊かな省エネ社会の実現に貢献していくのが、SIP「次世代パワーエレクトロニクス」プログラムです。

多くの技術革新に取り組んだ本プログラムも最終年度となりました。本シンポジウムでは、5年間の内容とその成果を紹介します。是非ご参加ください。

開催日時

2019年3月28日(木) 13時00分~17時30分 
2019年3月29日(金) 10時00分~17時30分

開催会場

東京ガーデンテラス紀尾井町(最寄駅:東京メトロ「赤坂見附駅」「永田町駅」)
紀尾井カンファレンス 4階

プログラム

3月28日(木)13時00分~17時30分

タイトル、発表者は変更することがございます。

時間 内容 発表者
12時00分~13時00分 受付・開場
13時00分~13時05分 開会挨拶
今井 淨
国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO) 理事
13時05分~13時10分 主催者挨拶
橋本 和仁
国立研究開発法人物質・材料研究機構 理事長
内閣府総合科学技術・イノベーション会議議員 SIPガバニングボード座長
13時10分~13時30分 プログラム紹介
大森 達夫
内閣府 SIP「次世代パワーエレクトロニクス」
プログラムディレクター
13時30分~15時00分 SiC次世代パワーエレクトロニクスの統合的研究開発
奥村 元
国立研究開発法人産業技術総合研究所
先進パワーエレクトロニクス研究センター
センター長
15時00分~15時30分 休憩(30分)
15時30分~16時10分 酸化ガリウム(Ga2O3)パワーデバイス基盤技術開発の現状と
今後
東脇 正高
国立研究開発法人情報通信研究機構 未来ICT研究所
グリーンICTデバイス先端開発センター
センター長
16時10分~16時50分 パワーモジュール用高温耐熱新実装技術
巽 宏平
早稲田大学 理工学術院 大学院情報生産システム研究科 教授
16時50分~17時30分 低容量小型パワー集積回路の開発とパワープロセッシング
引原 隆士
京都大学 大学院工学研究科 電気工学専攻
教授

3月29日(金)10時00分~17時30分

時間 内容 発表者
9時00分~10時00分 受付・開場
10時00分~10時10分 挨拶
大森 達夫
内閣府 SIP「次世代パワーエレクトロニクス」
プログラムディレクター
10時10分~10時50分 SiCインバータを用いた機電一体
インホイールモータ
赤津 観
芝浦工業大学 工学部 電気工学科 教授
10時50分~11時30分 ダイヤモンドパワーデバイスの
基盤技術開発
牧野 俊晴
国立研究開発法人産業技術総合研究所
先進パワーエレクトロニクス研究センター
11時30分~12時30分 昼食(60分)
12時30分~14時30分 ポスターセッション
14時30分~15時00分 休憩(30分)
15時00分~16時05分 GaN縦型パワーデバイスの
基盤技術開発
須田 淳
名古屋大学 大学院工学研究科 電子工学専攻 教授
16時05分~17時10分 SiC-MOSFETモジュールの
実装・回路・応用技術
赤木 泰文
東京工業大学 工学院 電気電子系
特任教授/名誉教授
17時10分~17時30分 まとめ
閉会挨拶
大森 達夫
内閣府 「SIP次世代パワーエレクトロニクス」
プログラムディレクター

お申し込み方法

お申し込みは、下記の「申し込みはこちらから」ボタンより必ず事前にお申し込みいただけますよう、お願いいたします。

2日間にわたり開催いたしますので、お手数ではございますがご参加いただける日付毎にお申し込み下さいますよう、お願いいたします。

(2日間ともご参加の方は、2回お申し込みが必要となります)

お申し込み期限

2019年3月25日(月) 16時00分
当日参加できなくなった場合は、同URLからキャンセルしてください。

個人情報について

取得した個人情報は、シンポジウムの参加申し込みに関する連絡等のみに使用致します。

本目的以外に使用することはありません。ただし、法令等により提供を求められた場合を除きます。

資料

連絡先

電話番号 044-520-5211­
FAX番号 044-520-5212­
担当者 野村、榛葉
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